Пиролити́ческое осажде́ние, способ формирования слоёв (изолирующих, резистивных, полупроводниковых и др.) путём термического разложения вещества с выделением из него твёрдого осадка. Используется в технологии оптических, гибридных тонкоплёночных и полупроводниковых интегральных схем, при изготовлении электровакуумных приборов и оптических волокон, для получения чистых материалов и т. д. Достоинством пиролитического осаждения является особенность механизма образования плёнки: благодаря хаотическому движению молекул разлагаемого вещества в зоне реакции получают равномерные покрытия на изделиях сравнительно сложной конфигурации.

Пиролитическое осаждение наиболее часто проводят в установках проточного типа с печами индукционного или резистивного нагрева. Газообразное или переведённое в паровую фазу химическое соединение с помощью газоносителя (Ar, O₂, N₂) подаётся в рабочую зону установки; пиролиз происходит непосредственно на поверхности подложки или в отдельной камере, откуда продукты разложения переносятся к подложке. Так, например, получают плёнки поликристаллического кремния в технологии кремниевых больших интегральных схем, используя разложение моносилана SіН₄ при температуре 600–750 °С. В некоторых случаях посредством пиролитического осаждения получают эпитаксиальные слои Si из SіН₄ при 1170–1370 К или Sil₄ при 1070–1270 К. Примером осаждения диэлектрических слоёв может служить получение плёнки SіO₂ в результате разложения при 1000–1100 К содержащих кислород кремнийорганических соединений типа Si(ОС₂Н₅)₄, образующиеся при этом газообразные продукты удаляются из реактора газом-носителем. С помощью пиролитического осаждения наносят тугоплавкие металлы (Со, Сr, Мо, Ni, W) на металлические поверхности; Со и Ni – также на пластмассы и керамику; Мо и W – на керамику и графит.