Титана́т стро́нция, соединение стронция группы титанатов, SrTiO₃, молярная масса 183,49 г/моль.

Физико-химические свойства

Представляет собой бесцветные кристаллы с кубической решёткой типа перовскита (а = 0,3904 нм, пространственная группа Рm3m); при температуpe Кюри (10 К) переходит в тетрагональную модификацию (пространственная группа P4/mmm); ниже 100 К происходит двойникование (образование областей с различной ориентацией кристаллической структуры), двойники, параллельные в направлении [011], с шириной 10–50 мкм являются сегнетоэлектрическими доменами (области однородной спонтанной поляризации); t_пл 2040 °С; плотность 5,11 г/см³; теплоёмкость при постоянном давлении 98,27 Дж/(моль · К); энтальпия образования –1668,5 кДж/моль; энтропия в стандартном состоянии 108,7 Дж/(моль · К); показатель преломления 2,37 (t = 20 °С; λ = 700,0 нм), уменьшается при нагревании, температурный коэффициент n^t_λ –6,2 · 10^–5 K^–1 (λ = 546,0 нм); температурный коэффициент линейного расширения 9,2 · 10^–6 К^–1 (298 К); ε при 20 °С для поликристаллических образцов 270, для монокристаллов 300–400; tgδ = 2,5 · 10^–4 (20 °С); спонтанная поляризация P_S 1,5 · 10^–6 Кл/см² (1,4 К) при напряжённости электрического поля Е_с = 670 В/см; при 4,2 К остаточная поляризация 1 · 10^–6 Кл/см² при Е_с = 300–500 В/см; в ИК-спектре максимум поглощения при λ 5000 см^–1. Титанат стронция не растворяется в воде, растворяется в горячей концентрированной серной кислоте H₂SO₄.

Получение

Получают титанат стронция спеканием индивидуальных оксидов стронция SrO и титана TiO₂ при 1200–1300 °С или соосаждённых труднорастворимых соединений Sr и Ti выше 1000 °С. Монокристаллы выращивают из растворов в расплаве методом Вернейля, плёнки – катодным распылением, вакуумным напылением.

Применение

Титанат стронция применяют в технике СВЧ в качестве диэлектрических антенн, фазовращателей, параметрических усилителей, генераторов гармоник [керамика (Ва_0,73Sr_0,27)ТiO₃]. Плёнки используют в нелинейных конденсаторах, для изготовления миниатюрных ёмкостных термодатчиков, датчиков ИК-излучения [плёнка (Ва_0,6Sr_0,397La_0,003)ТiO₃], слоистых структур металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл (линии задержки, фотоприёмники, запоминающие устройства и др.).