Эффе́кт Хо́лла, возникновение в твёрдом проводнике с плотностью тока $\boldsymbol j$, помещённом в магнитное поле напряжённостью $\boldsymbol H$, электрического поля напряжённостью $\boldsymbol E_H$ в направлении, перпендикулярном $\boldsymbol H$ и $\boldsymbol j$. Открыт Э. Холлом в 1879 г. в тонких пластинках золота. Величина напряжённости электрического поля (поля Холла) $E_H=RHj\sin α$, где $α$ – угол между $\boldsymbol H$ и $\boldsymbol j$ ($α < 180°$). Если $\boldsymbol H⊥\boldsymbol j$, то $E_H$ максимально: $E_H=RHj$. Коэффициент $R$ называется постоянной Холла, которая полностью характеризует эффект Холла. Знак $R$ положителен, если $\boldsymbol j$, $\boldsymbol H$ и $\boldsymbol E_H$ образуют правовинтовую систему координат. ЭДС Холла $U_H=E_Hb=RHI/d$ измеряют между электродами, расположенными на боковых гранях образца в виде прямоугольной пластины ($b$ – ширина, $d$ – толщина, которые намного меньше длины пластины), перпендикулярно току $I=jbd$.

Возникновение ЭДС Холла обусловлено взаимодействием носителей тока (электронов и дырок) с внешним магнитным полем. Сила Лоренца $\boldsymbol F=q[\boldsymbol v \boldsymbol H]$, действующая со стороны магнитного поля на движущиеся заряды ($q$ – заряд, $\boldsymbol v=\boldsymbol j/nq$ – средняя скорость направленного движения носителей заряда, $n$ – их концентрация), приводит к отклонению носителей в направлении, перпендикулярном $\boldsymbol H$ и $\boldsymbol j$, или к «закручиванию» их траектории. В результате возникает поле Холла, которое действует на заряды и уравновешивает силу Лоренца: $qE_H=qvH$, и, следовательно, $R=1/nq$. Знак $R$ совпадает со знаком носителей заряда. В металлах, где $n$≈10²⁸ м⁻³, $R$ имеет порядок величины 10^–9 м³/Кл, в полупроводниках $R$ ≈ 10⁻⁵–10⁻¹ м³/Кл. Для металлов величина $R$ зависит от зонной структуры, степени чистоты образца, его ориентации относительно кристаллографических осей, величины магнитного поля и температуры.

При описании эффекта Холла в магнетиках следует учитывать наличие в них собственного молекулярного поля, создаваемого упорядоченными магнитными моментами. Тогда поле Холла имеет вид: $E_y=RB_zj_x+R_s4πM_zj_x$ (индексы $x$, $y$, $z$ указывают соответствующую проекцию на координатную ось; $\boldsymbol B$, $\boldsymbol M$ – индукция магнитного поля и намагниченность магнетика соответственно; $R_s$ – постоянная аномального эффекта Холла). Вклад в поле Холла, пропорциональный $M$, называют спонтанным или аномальным эффектом Холла, поскольку он реализуется в ферро-, антиферро- и ферримагнитных проводниках и полупроводниках. В ферромагнетиках $R_s$ может на порядок превышать величину $R$. Постоянная $R_s$ имеет сложную температурную зависимость, причём знаки $R$ и $R_s$ могут не совпадать. За возникновение аномального эффекта Холла ответственно спин-орбитальное взаимодействие, которое приводит к асимметричному рассеянию носителей заряда в магнетиках. В сильных магнитных полях в плоских проводниках (квазидвумерных системах) проявляются квантовые особенности поведения носителей заряда (квазидвумерного электронного газа) – возникает квантовый эффект Холла. При дальнейшем увеличении магнитного поля перестройка электронной системы становится столь сильной, что приводит к т. н. дробному квантовому эффекту Холла.

Линейную зависимость поля Холла от $H$ используют для измерения напряжённости магнитного поля (датчики Холла). Эффект Холла применяется для умножения постоянных токов в аналоговых вычислительных машинах, в измерительной технике и др.