Тензорезисти́вный эффе́кт (пьезосопротивление), изменение электрического сопротивления (проводимости) кристаллов под действием всестороннего сжатия (растяжения) или одноосной деформации. Тензорезистивный эффект особенно велик в полупроводниках, где он связан с изменением энергетического спектра носителей заряда при деформации (в частности, с изменением ширины запрещённой зоны и энергии ионизации примесных уровней), с относительным изменением энергии отдельных долин в многодолинных полупроводниках, с расщеплением дырочных зон, которые при отсутствии деформации вырождены, с изменением эффективной массы носителей заряда (см. Зонная теория). Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей заряда (появление новых дефектов, изменение фононного спектра). Всё это приводит к изменению концентрации и подвижности носителей заряда и, следовательно, к изменению проводимости.

Тензорезистивный эффект используется в тензодатчиках, применяемых в тензометрах.