Подви́жность носи́телей заря́да в кристалле, величина, равная отношению дрейфовой скорости $v_{др}$, т. е. скорости направленного движения носителей заряда, вызванного электрическим полем, к напряжённости ${E}$ этого поля: $\displaystyle μ=v_{др}/E$. Дрейфовая скорость и, следовательно, подвижность носителей заряда ограничиваются процессами рассеяния носителей заряда, происходящими на дефектах кристаллической решётки (главным образом на примесных атомах), а также на тепловых колебаниях кристаллической решётки. Следовательно, подвижность носителей заряда зависит от температуры ${T}$. С понижением ${T}$ доминирующим становится рассеяние на заряженных дефектах, вероятность которого растёт с уменьшением энергии носителей заряда.

Средняя дрейфовая скорость ${\overline v_{др}=e\boldsymbol{E}\tau/m}$, где ${m}$ – эффективная масса носителей заряда, ${e}$ – их заряд, ${τ}$ – время релаксации импульса (т. н. транспортное время); следовательно, ${μ=eτ/m}$. Электрическая проводимость кристалла связана с подвижностью носителей заряда соотношением ${σ=neμ}$, где ${n}$ – концентрация носителей заряда. Понятие подвижности носителей заряда играет важную роль при описании свойств полупроводников и проводников, в которых ${n}$ зависит от ${T}$, поскольку позволяет разделить вклады в электрическую проводимость, обусловленные изменением концентрации ${n}$ с температурой и температурной зависимостью вероятности рассеяния носителей заряда.

Подвижность носителей заряда при ${T=300 К}$ варьируется в пределах от 10⁵ до 10^–3 см²/(В·с). В слабом электрическом поле ${μ\gt0}$ как для электронов, так и для дырок, хотя направления их дрейфа противоположны. Разные типы носителей заряда в одном и том же веществе имеют различные значения ${μ}$, а в анизотропных кристаллах ${μ}$ зависит от направления ${\boldsymbol E}$ относительно кристаллографических осей. В сильных электрических полях средняя энергия электронов превышает равновесную и растёт с ростом напряжённости ${μ}$; при этом ${τ}$ и, следовательно, μ также начинают зависеть от ${\boldsymbol E}$ (горячие электроны).