Сегнетоэле́ктрики, ферроэлектрики, кристаллические диэлектрики, имеющие в определённом интервале температур $\boldsymbol{T}$ спонтанную электрическую поляризацию $\boldsymbol{P_o}$, возникающую при фазовом переходе между двумя кристаллическими фазами – параэлектрической $(\boldsymbol{T}>\boldsymbol{T_c})$ и сегнетоэлектрической полярной $(\boldsymbol{T}<\boldsymbol{T_c})$ (здесь $\boldsymbol{T_c}$ – критическая температура). Симметрия сегнетоэлектрической фазы относится к одному из 10 пироэлектрических классов (пироэлектрики). Известно несколько сотен сегнетоэлектриков различной симметрии, состава и структуры, критические температуры $\boldsymbol{T_c}$ которых лежат в интервале от 10 до 1300 К. Сегнетоэлектрики обычно относят к типу смещения или к типу порядок – беспорядок. В первом случае при $\boldsymbol{T_c}$ происходит спонтанное смещение подрешёток кристалла, изменяющее его симметрию; типичные представители таких сегнетоэлектриков – $\text{ВaТiO}_3, \text{PbTi}_3, \text{SbSI}$. Во втором случае структурные элементы кристалла могут находиться в нескольких равновесных положениях; к таким сегнетоэлектрикам относятся сегнетова соль, $\text{NaNO}_2, \text{KH}_2\text {PO}_4, (\text{NH}_2\text{CH}_2\text{COOH})_3·\text {H}_2\text{SO}_4$. Спонтанная поляризация может возникать как вторичный эффект в результате сложной перестройки кристаллической структуры. Физические свойства таких «несобственных» сегнетоэлектриков существенно отличаются от свойств обычных («собственных») сегнетоэлектриков. Типичный несобственный сегнетоэлектрик – $\text{Gd}_2(\text{MoO}_4)_3$.

При переходе сегнетоэлектрического кристалла в полярную фазу возможны несколько энергетических эквивалентных вариантов структуры с различным направлением вектора $\boldsymbol{P_o}$. В результате кристалл разбивается на сегнетоэлектрические домены – области с однородной поляризацией. Энергетический барьер, разделяющий состояния с различными направлениями $\boldsymbol{P_o}$, невелик, и внешним электрическим полем $\boldsymbol{E}$ направление $\boldsymbol{P_o}$ можно изменить на противоположное. Зависимость $\boldsymbol{P_o(E)}$ имеет характерный вид петли гистерезиса.

Фазовые переходы в полярные фазы возможны также в некоторых типах жидких кристаллов – в слоистых хиральных смектиках $\boldsymbol{A}$. При фазовом переходе в полярную фазу $\boldsymbol{C}$ симметрия жидкого кристалла изменяется из предельной группы ${∞/2}$ в пироэлектрическую группу 2, причём ось 2 лежит в плоскости смектических слоёв и вдоль этой оси возникает поляризация $\boldsymbol{P_o}$. Известно несколько десятков жидкокристаллических сегнетоэлектриков. Наиболее хорошо исследовано соединение с аббревиатурным названием $\text{DOBAMBC}$ ${ (T_c=95°С)}$.

Особый класс сегнетоподобных материалов составляют релаксоры – кристаллы и керамики, содержащие ионы различного сорта в одинаковых кристаллографических позициях, – твёрдые растворы типа $\text{Pb(Mg,Nb)O}_3$. Хотя в них отсутствует чётко выраженный фазовый переход и кубическая структура сохраняется вплоть до температур жидкого гелия, спонтанная поляризация может быть индуцирована внешним электрическим полем. При этом наблюдаются значительные электромеханические эффекты, которые в кристаллах $\text{Pb(Mg,Nb)O}_3$ могут быть многократно увеличены при добавлении в определённом процентном соотношении сегнетоэлектрика $\text{Pb}\text{TiO}_3$. Пьезоэлектрические модули этих материалов на 2–3 порядка больше, чем у пьезоэлектрического кварца.

Области применения сегнетоэлектриков связаны с аномально большими величинами диэлектрической проницаемости (конденсаторы, вариконды), пиро- и пьезоэлектрических, электрострикционных, электрооптических постоянных, а также с использованием явления переключения спонтанной поляризации. Сегнетоэлектрические керамики применяют для создания электромеханических и механоэлектрических преобразователей в широком диапазоне частот (излучатели звука, датчики микроперемещений, гидрофоны, акселерометры, стабилизаторы частоты и др.) (пьезоэлектрические преобразователи). Используются также нелинейно-оптические свойства сегнетоэлектриков.