#Физическая электроникаФизическая электроникаИсследуйте Области знанийУ нас представлены тысячи статейТегФизическая электроникаФизическая электроникаНайденo 82 статьиФизические эффектыФизические эффекты Циклотронно-фононный резонансЦиклотро́нно-фоно́нный резона́нс, резонансное поглощение электромагнитной энергии, обусловленное переходами электронов между уровнями Ландау при участии оптических фононов. Наблюдается при распространении электромагнитных волн в полупроводнике, находящемся в постоянном магнитном поле напряжённостью . Наряду с обычным циклотронно-фононным резонансом, наблюдаются циклотронно-фононный резонанс, сопровождающийся переворотом спина электрона, и многофононный циклотронно-фононный резонанс.Технологии Сеточное управлениеСе́точное управле́ние, способ модуляции катодного тока в электровакуумных приборах, основанный на изменении электрического поля в прикатодной области при изменении напряжения на специальном электроде‚ выполненном в виде сетки и расположенном в непосредственной близости к катоду. Сеточное управление применяют преимущественно в приёмно-усилительных лампах, а также в электровакуумных приборах СВЧ (клистронах, лампах бегущей волны) для периодического включения и выключения прибора (импульсная модуляция).Структурные элементы материи p–n-переходp–n-перехо́д (электронно-дырочный переход), область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа электрической проводимости (от электронной n к дырочной p). При изменении полярности приложенного напряжения ток через p–n-переход может меняться в 105–106 раз, благодаря чему p–n-переход является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменных токов. Зависимость сопротивления p–n-перехода от напряжения позволяет использовать его в качестве регулируемого сопротивления (варистора). p–n-переходы применяются также в датчиках (например, температуры, давления, ионизирующих излучений), используются для преобразования световой энергии в электрическую, являются основой полупроводниковых диодов и входят в качестве составного элемента в полупроводниковые приборы – транзисторы, тиристоры и др. Инжекция и последующая рекомбинация неосновных носителей в p–n-переходе используются в светоизлучающих диодах и инжекционных лазерах.Структурные элементы материи ДыркаДы́рка, квантовое состояние, не занятое электроном, в энергетической зоне твёрдого тела. Дырка ведёт себя как квазичастица (фермион) с положительным зарядом, равным по абсолютной величине заряду электрона, и является наряду с электроном носителем тока в полупроводнике (дырочная проводимость). Эффективная масса дырки обычно больше, а подвижность меньше, чем у электрона проводимости.Структурные элементы материи ГетеропереходГетероперехо́д, контакт двух различных по химическому составу материалов, осуществлённый с образованием единой кристаллической решётки. Практически важны совершенные (идеальные) гетеропереходы, свойства которых определяются внутренними свойствами составляющих материалов, а не дефектами границы раздела или примесями. Гетеропереходы получают с использованием методов выращивания материалов на монокристаллических подложках. Современные методы эпитаксиального выращивания с использованием эффектов самоорганизации на поверхности кристаллов позволяют получать трёхмерные объекты сверхмалых размеров – наногетеропереходы. Разрывы в зоне проводимости и валентной зоне и различия в величинах эффективных масс электронов и дырок, диэлектрических проницаемостях, фононных частотах приводят к появлению у гетеропереходов качественно новых свойств, отсутствующих у исходных компонентов и позволяющих целенаправленно конструировать новые типы опто- и микроэлектронных приборов.Технические устройства СВЧ-разрядникСВЧ-разря́дник, газоразрядный прибор, в котором плазма сверхвысокочастотного разряда используется в качестве элемента СВЧ-цепи. Применяется главным образом в антенных переключателях радиолокационных станций (РЛС) для автоматической коммутации СВЧ-тракта и защиты приёмника от воздействия сигналов собственного передатчика и посторонних мощных радиосигналов (например, от других РЛС).Физические эффекты Электрон проводимостиЭлектро́н проводи́мости, квазичастица, теоретическая модель электрона в твёрдом теле. Совокупность этих квазичастиц образует в металлах и полупроводниках вырожденный ферми-газ. Электрон проводимости не эквивалентен физическому электрону. Понятие электрона проводимости было введено для упрощения описания кинетических и термодинамических характеристик металлов и объяснения особенностей электропроводности полупроводников. В металлах поведение электронной подсистемы более точно описывается теорией вырожденной ферми-жидкости Л. Д. Ландау. Поскольку во внешних полях изменение энергии электронов проводимости почти всегда мало по сравнению с энергией Ферми, то все кинетические явления (электропроводность, электронная теплопроводность, термомагнитные и гальваномагнитные явления) хорошо описываются в металлах при помощи модели квазичастиц – электронов проводимости.Физические процессы, явления Подпороговая эмиссияПодпоро́говая эми́ссия, фотоэлектронная эмиссия, вызываемая фотонами, энергия которых ниже, чем работа выхода с поверхности вещества. Подпороговая эмиссия часто наблюдается в нанокластерах металлов, в частности палладия, где она обусловлена прямыми переходами электронов из состояний , расположенными ниже уровня Ферми, в незаполненные электронные поверхностные состояния, образованные в кулоновском потенциале сил изображения, а далее в вакуум.Физические процессы, явления Пьезоэлектрический эффектПьезоэлектри́ческий эффе́кт, явление возникновения связанных электрических зарядов (разности потенциалов) на поверхности анизотропных диэлектрических сред под действием механической деформации (прямой пьезоэффект, ПП) или появления механических деформаций при воздействии на пьезоэлектрик разности потенциалов (в случае подачи электрического напряжения – обратный пьезоэффект, ОП). Прямой пьезоэлектрический эффект обнаружен братьями Пьером и Жаком Кюри в 1880 г., обратный – подтверждён в 1881 г. Пьезоэлектрический эффект применяется в электронных приборах, пьезотрансформаторах, радиофильтрах, датчиках давления, эхолотах, генераторах инфракрасных и ультразвуковых волн, акселерометрах.Технические устройства Прибор магнетронного типаПрибо́р магнетро́нного ти́па, класс электровакуумных СВЧ-приборов, преобразующих энергию источников питания в энергию СВЧ-колебаний, в которых формирование электронного потока и его взаимодействие с электромагнитным полем СВЧ происходят в пространстве, где постоянные электрические и магнитные поля перпендикулярны друг другу и направлению фазовой скорости замедленной СВЧ-волны. Иногда приборы магнетронного типа называют также приборами со скрещёнными полями. Исторически первым прибором этого типа был магнетрон (отсюда название класса приборов с аналогичным принципом действия). 12345
