Кра́сников Генна́дий Я́ковлевич (род. 30.4.1958, Тамбов), российский учёный в области микро- и наноэлектроники, академик РАН (2008).

После окончания в 1981 г. Московского института электронной техники (МИЭТ, Зеленоград) работает в Зеленограде в НИИ молекулярной электроники с опытным заводом «Микрон» (в 1991–2016 гг. генеральный директор, после реорганизации предприятия продолжает занимать ряд высших руководящих должностей). Член президиума РАН (с 2017), академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН (2019–2022). 20 сентября 2022 г. избран президентом РАН. С 1998 г. профессор, заведующий кафедрой «Субмикронная технология СБИС» в МИЭТ.

Основные направления деятельности: разработка и создание сверхбольших интегральных схем (СБИС) – базы современной электроники и обеспечение качества их изготовления; системная интеграция; информационные технологии. Красниковым сформулированы современные основы теории построения приборно-технологического базиса микросхем, в которых определены закономерности возникновения и поведения фоновых примесей; создана теория стабилизации электрических параметров СБИС с наноразмерами; разработаны и реализованы на практике физико-технологические принципы и методы обеспечения качества проектирования и изготовления микросхем с размерами 180–130 нм. На основе развития этих методологий под руководством Красникова ведётся разработка технологии СБИС с топологическими размерами 65–45 нм.

Лауреат Государственной премии РФ в области науки и технологии (2014), премии Правительства РФ (1999, 2009, 2019). Награжден орденом Почёта (1999), орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008), орденом Дружбы (2014), орденом Александра Невского (2018). Удостоен многих международных наград.