Бесщелевы́е полупроводники́, вещества с равной нулю шириной запрещённой зоны (зонная теория). В бесщелевых полупроводниках дно зоны проводимости и потолок валентной зоны имеют одинаковую энергию. От типичных полупроводников бесщелевые полупроводники отличаются отсутствием энергетического порога рождения электронно-дырочных пар, от металлов – существенно меньшей плотностью электронных состояний.

Обращение в нуль ширины запрещённой зоны может быть обусловлено симметрией кристаллической решётки или иметь случайный характер. К первому типу бесщелевых полупроводников относятся такие материалы, как $\text{α−Sn}$, $\text{β−HgS}$, $\text{HgSe}$ и $\text{HgTe}$. Бесщелевой электронный спектр указанных веществ достаточно устойчив и исчезает лишь при внешних воздействиях, понижающих симметрию кристалла. Ко второму типу бесщелевых полупроводников можно отнести твёрдые растворы $\text{Pb}_{1–x}\text{Sn}_{x}\text{Te}$, $\text{Pb}_{1–x}\text{Sn}_x\text{Se}$, $\text{Bi}_{1–x}\text{Sb}_x$ и другие, у которых при определённом соотношении компонент возникает случайное вырождение уровней, соответствующих дну зоны проводимости и потолку валентной зоны. В этих веществах бесщелевое состояние может быть разрушено под действием любого возмущения, в том числе и возмущения, которое не изменяет симметрию кристалла.

Отсутствие энергетической щели в электронном спектре бесщелевых полупроводников обусловливает целый ряд их особенностей. Например, концентрация $\textit{n}$ электронов в чистых нелегированных бесщелевых полупроводниках (а следовательно, и их электрическая проводимость) зависит от температуры $\boldsymbol{T}$ степенным, а не экспоненциальным образом: $\textit{n}∼\boldsymbol{T}^{3/2}$. Концентрация электронов может заметно возрастать при пропускании через бесщелевой полупроводник электрического тока, что обусловливает нелинейность вольт-амперной характеристики.