Горячие электроны

Горя́чие электро́ны, подвижные носители заряда в полупроводнике или металле, распределение которых по энергиям смещено относительно равновесного распределения при данной температуре в сторону бо́льших энергий. Носители заряда (электроны и дырки) становятся горячими при протекании электрического тока через проводник под действием достаточно сильного электрического поля.

При протекании тока электрическое поле ускоряет большее число носителей, а тормозит меньшее и тем самым сообщает электронному газу дополнительную энергию. В то же время, если средняя энергия электронов выше равновесного значения (в невырожденном электронном газе , – постоянная Больцмана), электронный газ передаёт энергию фононам при рассеянии на них. Степень «разогрева» носителей заряда, т. е. увеличение их по сравнению с равновесным значением, зависит от величины электрического поля и подвижности носителей тока, а также от скорости передачи ими энергии фононам. При температурах ( – температура Дебая) разогрев носителей заряда становится значительным при 103 В/см, а при – уже при величине порядка 10–1 –1В/см.

Разогрев носителей с ростом приводит к изменению электрической проводимости полупроводника и отклонению его вольт-амперной характеристики от закона Ома. При достаточно сильном падении с ростом электрического поля на вольт-амперной характеристике появляется падающий участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, она становится –образной (эффект Ганна). В тех же случаях, когда растёт, может наблюдаться -образная характеристика и как следствие – шнурование тока. Когда при приближении к некоторой величине напряжения ток очень сильно растёт, говорят об электрическом пробое.

Нагрев электронов приводит и к другим эффектам: эмиссии горячих электронов из ненагретых полупроводников, анизотропии электрической проводимости и коэффициента диффузии в кристаллах кубической сингонии в сильных полях, росту и анизотропии электрических флуктуаций.

Горячие электроны возникают также при инжекции носителей заряда из контакта двух проводников под действием приложенного к ним напряжения; при генерации носителей заряда светом с энергией фотонов, превышающей ширину запрещённой зоны полупроводника на величину бо́льшую, чем величины характерной тепловой энергии носителей.

Литература

  • Бонч-Бруевич В. Л. Физика полупроводников / Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. – Москва : Наука, 1990.
  • Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников / СПб. : «Лань». 3-е изд., 2008.
  • Зегря Г. Г. Основы физики полупроводников / Зегря Г. Г., Перель В. И., – Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009.
Материалы портала bigenc.ru переданы в ведение АНО «Интернет-энциклопедия «РУВИКИ» на основе лицензионного соглашения. Возможны неточности в отображении материалов. Если у вас возникли вопросы или вы увидели ошибку, пожалуйста, сообщите нам на info@ruwiki.ru