Запрещённая зона
Запрещённая зо́на (энергетическая щель), область значений энергий, которую не могут иметь электроны в идеальном кристалле. Запрещённая зона отделяет одну разрешённую зону от другой (зонная теория). Под запрещённой зоной полупроводников и диэлектриков обычно понимают область энергий между верхним уровнем (потолком) валентной зоны и нижним уровнем (дном) зоны проводимости. Её ширина определяет электрические и оптические свойства кристалла. В зависимости от природы материала меняется в широких пределах – от 7 эВ в кварце до 0 в т. н. бесщелевых полупроводниках и до отрицательных значений в полуметаллах (перекрывание валентной зоны и зоны проводимости). Вещества с >3 эВ относят к диэлектрикам, с <3 эВ – к полупроводникам.
Ширина запрещённой зоны определяет концентрацию собственных носителей заряда и, следовательно, собственную проводимость полупроводника, а также наименьшую частоту света, при которой начинается собственное поглощение полупроводника (край собственного поглощения). Поэтому температурная зависимость электропроводности полупроводника и его спектр поглощения дают информацию о ширине запрещённой зоны.
При нарушении идеальной периодичности кристалла из-за наличия примесей и дефектов в запрещённой зоне появляются разрешённые энергетические состояния в виде локальных уровней.
Литература
- Бонч-Бруевич В. Л. Физика полупроводников : учебное пособие / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. – Москва : Наука, 1990.
- Ivchenko E. L. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures. – Harrow, UK : Alpha Science International, 2005.
- Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для вузов. – 3-е изд., стер. – Санкт-Петербург [и др.] : Лань, 2008. – (Лучшие классические учебники).
- Зегря Г. Г. Основы физики полупроводников / Г. Г. Зегря, В. И. Перель. – Москва : Физматлит, 2009.
- Geim A. K. Van der Waals heterostructures / A. K. Geim, I. V. Grigorieva // Nature. – 2013. – Vol. 499, № 7459. – P. 419–425.