Ио́нно-лучево́е осажде́ние, способ создания на поверхности изделия (подложке) тонких плёнок металла, полупроводника или диэлектрика с помощью сфокусированных ионных пучков (лучей). Ионно-лучевое осаждение широко применяется в микроэлектронике, например для нанесения плёнок из кремния, углерода, хрома, металлоорганических соединений при изготовлении элементов интегральных схем, плёночных конденсаторов, резисторов и т. п., а также для получения плёнок полупроводниковых соединений типа CdS, CdTe, CdSe и создания на их основе фотоприёмников, солнечных батарей, акустоэлектронных устройств и др.
Аннотация