Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН
Институ́т сильното́чной электро́ники Сиби́рского отделе́ния РАН (ИСЭ СО РАН), научно-исследовательское учреждение в г. Томск. Создан в 1977 г.
В институте проводятся фундаментальные исследования генерации сверхмощных электрических импульсов, потоков заряженных частиц и плазмы, электромагнитных излучений в сверхвысокочастотном, оптическом и рентгеновском диапазонах. Ведутся работы в области физики вакуумного и газового разрядов, по исследованию мощных импульсных энергетических воздействий на вещество, созданию электрофизических установок, разработке физических основ соответствующих технологий, в том числе направленных на решение задачи инерциального термоядерного синтеза. В институте открыты явление взрывной эмиссии электронов и закономерности воздействия внешнего ионизирующего излучения на процесс развития импульсного разряда высокого давления. Среди крупных экспериментальных установок ИСЭ СО РАН – тераваттные генераторы, сильноточные электронные ускорители, мультитераваттный фемтосекундный лазерный комплекс.
Директорами института были: академик Г. А. Месяц (1977–1986), академик С. П. Бугаев (1986–2002), академик С. Д. Коровин (2002–2006), академик Н. А. Ратахин (2006–2020). С 2020 г. директор института – И. В. Романченко.