Эффе́кт Шо́кли (транзисторный эффект) в полупроводниковых структурах, эффект управления выходным током или напряжением посредством изменения входных значений тока или напряжения. Обнаружен У. Шокли при анализе работы точечного транзистора как следствие наличия в нём p–n-переходов. За открытие в июне 1948 г. транзисторного эффекта Уильяму Брэдфорду Шокли, Джону Бардину и Уолтеру Хаузеру Браттейну в 1956 г. была присуждена Нобелевская премия.

Транзисторный эффект лежит в основе работы биполярных и полевых транзисторов. Иллюстрацией эффекта Шокли может служить схема изобретённого им планарного (биполярного) транзистора, показанная на рисунке. Схема работы биполярного транзистора.Схема работы биполярного транзистора.Данный биполярный транзистор (n–p–n-типа) представляет собой два n–p-перехода, включённых навстречу друг другу. На границе слоёв разного типа проводимости образуются обеднённые зоны (ОЗ) из-за перехода свободных электронов из слоя n-типа в слой p-типа, рекомбинируя с дырками. В транзисторе обеднённые зоны являются изоляторами, препятствующими прохождению тока между эмиттером (Э) и коллектором (К). Подключение к p-области называют базой (Б) n–p–n-транзистора. Если подать на базу (Б) напряжение, положительное относительно эмиттера (Э), то часть электронов из p–n-переходов покинет транзистор, перейдя в базу (Б). При этом появится поток электронов от эмиттера (Э) к коллектору (К). Коллекторный ток будет пропорционален базовому току, т. е. управление током через транзистор осуществляется модуляцией тока базы. Варьируя площади n–p-переходов и легируя материалы, из которых состоит транзистор, можно, включая его в схемы различным образом, получать эффекты усиления электрических колебаний и использовать в электронике в качестве коммутирующего элемента.