Рекомбина́ция носи́телей заря́да в полупроводниках, исчезновение пары свободных носителей заряда противоположных знаков (электронов и дырок) в результате перехода электрона из энергетического состояния в зоне проводимости в незанятое энергетическое состояние в валентной зоне. При рекомбинации носителей заряда выделяется энергия порядка ширины запрещённой зоны ${ℰ_g}$. Различают излучательную и безызлучательную рекомбинацию. Первая сопровождается излучением кванта света с энергией ${\hbar ω \approx ℰ_g}$ (здесь ${\hbar}$ – постоянная Планка, $\omega$ – частота). При безызлучательной рекомбинации носителей заряда избыточная энергия может передаваться кристаллической решётке путём возбуждения её колебаний (фононная безызлучательная рекомбинация) либо рекомбинирующий электрон посредством кулоновского взаимодействия может передать энергию другому электрону, переводя его в высокоэнергетическое состояние (т. н. оже-рекомбинация).