Обеднённый слой (запирающий слой), слой полупроводника с пониженной, по сравнению с равновесной, концентрацией основных носителей заряда. Образуется вблизи контакта с металлом, вблизи гетероперехода, р–n-перехода, свободной поверхности полупроводника. Обеднённый слой обладает большим удельным электрическим сопротивлением и является основным рабочим элементом полупроводникового диода, транзистора, варикапа и других полупроводниковых приборов.