Эффе́кт Ке́лдыша – Фра́нца, сдвиг края области собственного поглощения света к меньшим частотам в полупроводнике при наложении внешнего электрического поля. Теоретически предсказан в 1958 г. независимо Л. В. Келдышем и немецким физиком В. Францем; экспериментально обнаружен в кремнии в 1960 г. В. С. Вавиловым и К. И. Брицыным. При отсутствии электрического поля краю области поглощения соответствует частота света ${ \omega={E}_{g}/ℏ}$, где ${E}_{g}$ – ширина запрещённой зоны, ${ℏ}$ – постоянная Планка. В электрическом поле напряжённостью ${E}$ вследствие туннелирования электронов из валентной зоны в зону проводимости край области поглощения размывается и становится возможным поглощение света с частотой ${ \omega<{E}_{g}/ℏ}$. Эффективный сдвиг края зоны $\Delta {E}≈(e^{2}E^{2}ℏ^{2}/m^{∗})^{1/3}$, где ${e}$ – электрический заряд электрона, $m^{∗}$ – его эффективная масса. Эффект Келдыша – Франца используется для исследования зонной структуры полупроводников и модуляции оптического излучения.