Асе́ев Алекса́ндр Леони́дович (род. 24.9.1946, Улан-Удэ), российский физик, академик РАН (2006), председатель Президиума Сибирского отделения (СО) РАН (с 2008), вице-президент РАН (с 2008). После окончания Новосибирского государственного университета (1968) работает в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, в 1998–2013 гг. директор. Профессор Томского государственного университета.

Основные направления исследований – изучение атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности, развитие технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния Асеевым впервые обнаружены обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов. Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Асееву принадлежат работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой и СВЧ-электроники, по материаловедению кремния. Под руководством Асеева в институте создан научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоёв кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения ИК фотоприёмных устройств.