Институ́т фи́зики полупроводнико́в и́мени А. В. Ржа́нова СО РАН (ИФП СО РАН), научно-исследовательское учреждение в г. Новосибирск.

Создан в 1964 г. Основатель и первый директор (1964–1990) института – академик АН СССР А. В. Ржанов. В 1990–1998 гг. директор – член-корреспондент АН СССР К. К. Свиташев, в 1998–2013 гг. – академик РАН А. Л. Асеев, с 2013 г. институтом руководит академик РАН А. В. Латышев.

Установка для синтеза полупроводниковых материалов методом молекулярно-лучевой эпитаксии.Установка для синтеза полупроводниковых материалов методом молекулярно-лучевой эпитаксии.Основные направления деятельности ИФП СО РАН: фундаментальные и прикладные исследования в области физики конденсированных сред, полупроводников и диэлектриков, низкоразмерных систем, оптики, лазерной физики, квантовой электроники. Разрабатывается элементная база наноэлектроники, микроэлектроники, оптоэлектроники, микрофотоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики и квантовых компьютеров. В институте производят полупроводниковые структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии и другие новые материалы для электроники (в том числе силовой) и сенсорики. На основе этих материалов разрабатываются и производятся различные устройства: тепловизионные приборы, электронно-оптические преобразователи, биосенсоры, устройства квантовой передачи информации и др.

С 1990 г. в составе ИФП СО РАН – Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (Новосибирск).