Акустоэлектри́ческий эффе́кт, возникновение электрического напряжения на концах разомкнутого проводника (акустоэдс) или появление постоянного тока в замкнутом проводнике (акустоэлектрический ток) вследствие увлечения свободных носителей заряда распространяющейся в проводнике акустической волной. Акустоэлектрический эффект предсказан американским физиком Р. Парментером (1953) и впервые обнаружен американскими физиками Г. Вайнрайхом и Г. Дж. Уайтом (1957). Акустоэлектрический эффект обусловлен передачей части импульса, переносимого волной, свободным носителям заряда вследствие акустоэлектронного взаимодействия. Знак акустоэлектрического эффекта соответствует знаку увлекаемых волной носителей заряда. Акустоэлектрический эффект – нечётный, т. к. он меняет знак при изменении направления волны на противоположное. Акустоэлектрический эффект является нелинейным: величина локальной плотности акустоэлектрического тока ${j_{аэ}}$ пропорциональна произведению линейных по деформации амплитуд волны концентрации свободных носителей заряда и волны электрического поля, сопровождающих акустическую волну. Локальная плотность акустоэлектрического тока ${j_{аэ}}$ пропорциональна коэффициенту электронного поглощения звука ${α_e}$ и интенсивности акустической волны ${W}$ (соотношение Вайнрайха):

$${j_{аэ} = α_eWμ / v_s}, \tag{1}$$где ${v_s}$ – скорость звука, ${μ}$ – подвижность носителей заряда.

Акустоэлектрический эффект экспериментально наблюдается в металлах и полупроводниках. Однако в металлах и полупроводниковых кристаллах, имеющих центр симметрии (например, $\text{Ge}$ и $\text{Si}$), акустоэлектрический эффект невелик из-за слабого акустоэлектронного взаимодействия. Существенно больший акустоэлектрический эффект имеет место в пьезополупроводниках (например, $\text{CdS}$, $\text{CdSe}$, $\text{ZnO}$). При интенсивности звука порядка 1 Вт/см² на частотах порядка десятков МГц в образцах длиной около 1 см акустоэдс оказывается порядка нескольких вольт.

В полупроводниках, помещённых в сильное электрическое поле, коэффициент электронного поглощения звука зависит от скорости дрейфа ${v_d}$ свободных носителей заряда. При сверхзвуковой скорости дрейфа ${(v_d > v_s)}$ коэффициент ${α_e}$ меняет знак и поглощение акустических волн сменяется их усилением. Акустоэлектрический ток также меняет знак и вычитается из тока проводимости. Следствием этого является изменение наклона вольт-амперной характеристики.

Акустоэлектрический эффект имеет место и при распространении поверхностных акустических волн в полупроводниках и слоистых структурах «пьезоэлектрик – полупроводник». Сопровождающее волну переменное электрическое поле вызывает токи и перераспределение свободных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника. При этом движение носителей происходит как вдоль границы раздела, так и перпендикулярно к ней, вызывая в структуре как продольный, так и поперечный акустоэлектрический эффект. Поперечный акустоэлектрический эффект чётный: он не меняет знак при изменении направления распространения волны на противоположное.

Вследствие относительно слабой зависимости величины акустоэлектрического эффекта от частоты акустической волны он используется при создании широкополосных квадратичных и линейных акустоэлектрических детекторов. Акустоэлектрический эффект применяется также для измерения интенсивности акустических волн и измерения частотных характеристик электроакустических преобразователей.