Со́бственная проводи́мость, электрическая проводимость полупроводника, обусловленная электронами, возбуждёнными из валентной зоны в зону проводимости, и дырками, образовавшимися в валентной зоне. Концентрации ${n_i}$ таких (зонных) электронов и дырок равны и определяются как ${n_i=\sqrt{N_c N_v}\exp(-ℰg/2k\boldsymbol{T})}$, где ${N_c}$ и ${N_v}$ – эффективные плотности состояний в зоне проводимости и валентной зоне соответственно, ${ℰ_g}$ – ширина запрещённой зоны, $\boldsymbol{T}$ – абсолютная температура, $\textit{k}$ – постоянная Больцмана. Поскольку проводимость ${σ}$ полупроводника пропорциональна концентрации свободных носителей заряда и их подвижности ${μ}$, то, пренебрегая слабыми степенными зависимостями величин ${N_c}$, ${N_v}$ и ${μ}$ от температуры, для полупроводников с собственной проводимостью получаем соотношение: ${σ(\boldsymbol{T})\sim\exp(-ℰ_g/2k\boldsymbol{T})}$.