Ога́нов Артём Рома́евич (род. 3.3.1975, Днепропетровск), российский кристаллограф, материаловед, химик. Один из создателей новой области науки – компьютерного дизайна новых материалов. Доктор физико-математических наук (2007), профессор РАН (2015).

Биография

С отличием окончил геологический факультет МГУ имени М. В. Ломоносова (1997). Защитил кандидатскую диссертацию (2002) по кристаллографии в Университетском колледже Лондона, получил степень доктора наук в Цюрихском политехническом институте (2007). Профессор и заведующий лабораторией компьютерного дизайна материалов в Университете штата Нью-Йорк в Стони-Брук (2008–2017). Получив мегагрант Правительства Российской Федерации (2013), создал и возглавил Лабораторию компьютерного дизайна материалов в Московском физико-техническом институте. Профессор Сколковского университета науки и технологий (с 2015). Заведующий кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков в Университете МИСиС (с 2021).

Научная деятельность

Научная деятельность посвящена разработке методов компьютерного дизайна новых материалов, исследованию их структуры и свойств и, как итог, поиску новых уникальных материалов с заданными свойствами.

Разработал (2006) эволюционный метод для предсказания кристаллических структур (USPEX) на основании только химического состава и внешних условий. С помощью разработанного алгоритма вместе с соавторами предсказал новую сверхтвёрдую структуру бора (2009), прозрачную фазу натрия (2009), стабильные соединения гелия (2017), ряд стабильных хлоридов натрия (2013) и др. Множество предсказанных материалов было подтверждено экспериментом.

Работы Оганова оказали существенное влияние на фундаментальные знания в материаловедении, физике, химии и науках о Земле. Соавтор открытия нового двумерного материала – борофена (2015) (Synthesis of borophenes ... 2015). На основе теоретически рассчитанных упругих свойств минералов и данных сейсмической томографии предложил модель распределения температур в мантии Земли (2001) (Oganov. 2001). Соавтор открытия новой пост-перовскитной фазы MgSiO3, свойства которой объяснили аномалии слоя D" близ границы земной мантии с ядром (2004) (Oganov. 2004). Предложил новую шкалу электроотрицательностей химических элементов (2022), которая позволила объяснить множество необычных явлений химии высоких давлений. Предсказал и исследовал (с 2015) ряд новых высокотемпературных сверхпроводников, в том числе ThH9, ThH10, (La,Y)H6, (La,Y)H10 и др.

Награды

Лауреат университетской премии Лациса Швейцарской высшей технической школы Цюриха (2006), премии имени Георгия Гамова (2017), премии «Согласие» (2017), премии Дружбы правительства КНР (2019), премии Highly Cited Researcher (Web of Science) (2022). Профессор программы «1000 талантов» (2012).

Член Европейской академии (Academia Europaea, 2017). Действительный член (Fellow) Королевского химического общества (2020), Американского физического общества (2020), Минералогического общества Америки (2013).