Нарезка сапфировых кристаллов методом ЛУТ. В 2012 г. Научно-производственным центром «Лазеры и аппаратура ТМ» (г. Зеленоград) на основании лицензионного договора с патентообладателем метода лазерного управляемого термораскалывания профессором В. С. Кондратенко была создана первая российская промышленная установка «МЛП1-1060/355» для прецизионной резки подложек из сапфира на отдельные кристаллы для производства светодиодов и других изделий и приборов микро- и оптоэлектроники. Помимо сапфира, установка позволяет осуществлять размерную резку других хрупких неметаллических материалов в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Это первая российская реализация промышленного способа резки хрупких материалов в пересекающихся направлениях, разработанного и запатентованного В. С. Кондратенко и А. С. Наумовым (Патент № 2404931). Этот способ является развитием метода лазерного управляемого термораскалывания.

Установка для резки приборных пластин на кристаллы «МЛП1-1060/355».Установка для резки приборных пластин на кристаллы «МЛП1-1060/355».Реализованная прецизионная резка приборных пластин из сапфира и других хрупких материалов модернизированным методом лазерного управляемого термораскалывания, обеспечивающим рез в пересекающихся направлениях, сохранила высокую эффективность процесса реза и решила проблему необходимости создания большого числа начальных надрезов (насечек) на кромке нарезанных в первом проходе полосок.

Воплощённое «в железе» лазерное управляемое термораскалывание расширило диапазон толщин разрезаемых приборных пластин и размеров получаемых кристаллов. Значительно повышены производительность и качество резки. Как следствие, один из важнейших параметров светодиодов – яркость – достигает бо́льших значений, чем при использовании других методов резки пластин из сапфира и других материалов, за счёт высокого качества кромок получаемых кристаллов.