Магниторези́стор, полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого изменяется под воздействием внешнего магнитного поля (т. н. магниторезистивный эффект).

Состоит из подложки (круглой или прямоугольной пластины толщиной 0,1–0,5 мм из радиокерамики, феррита, пермаллоя, пермендюра и др.), магниточувствительного резистивного элемента (РЭ) и токоподводов для подключения к электрической цепи. РЭ в виде пластинки толщиной 10–80 мкм вырезают из монокристалла полупроводника с высокой подвижностью носителей зарядов (например, ZnSb, ZnAs).

Для защиты от механических повреждений и воздействия влаги РЭ и часть токоподводов магниторезистора покрывают защитной эпоксидной плёнкой.

Важнейшей характеристикой магниторезистора является зависимость электрического сопротивления от магнитной индукции R = f(B) – квадратическая в слабых магнитных полях (до 0,5 Тл) и линейная – в сильных.

Обычно рабочий режим магниторезистора выбирают на линейном участке характеристики при индукции магнитного поля 0,5–1,0 Тл. Под воздействием поперечного магнитного поля электрическое сопротивление магниторезистора увеличивается вследствие искривления траектории носителей зарядов в РЭ.

Диапазон изменения сопротивления (оценивается отношением R_B/R₀, где R_B и R₀ – сопротивления магниторезистора соответственно при наличии или отсутствии поперечного магнитного поля) составляет от 3 до 20 и более.

Широкое распространение получили магниторезисторы с РЭ в виде меандра из ZnSb. Для увеличения отношения R_B/R₀ на поверхности РЭ таких магниторезисторов напылением в вакууме или гальваническим осаждением создают проводящий плёночный растр (например, из Zn или Ni), делящий РЭ на большое число последовательно включённых элементов, длина которых соизмерима с протяжённостью начального, наиболее искривлённого участка траектории носителей зарядов.

По сравнению с обычными переменными резисторами магниторезисторы имеют практически неограниченный срок службы (отсутствие подвижного контакта исключает механический износ РЭ), отличаются плавностью изменения сопротивления, а также отсутствием шумов, свойственных резисторам с подвижным контактом.

Применяются в основном как чувствительные элементы датчиков магнитного поля, а в сочетании с управляющей магнитной системой – в качестве переменных резисторов в радиоаппаратуре и измерительных приборах и как переключательные элементы в бесконтактной коммутационной аппаратуре.