Магнитосопротивле́ние (магниторезистивный эффект), изменение удельного электрического сопротивления проводника (металла, полуметалла, полупроводника) под действием магнитного поля:

$Δρ/ρ = (ρ_H - ρ)/ρ,$

где $ρ$ – удельное электрическое сопротивление в отсутствие магнитного поля, $ρ_Н$ – удельное электрическое сопротивление при наложении на проводник магнитного поля напряжённостью $H$. Величина $|Δρ/ρ|$ не превышает 1, поэтому для большей информативности часто используют другое определение магнитосопротивления:

$Δρ/ρ_H = (ρ_H - ρ)/ρ_H,$

абсолютная величина которого не ограничена. Этим параметром удобно пользоваться в том случае, когда магнитосопротивление достигает больших величин. Различают продольное ($\boldsymbol j\, {||}\,\boldsymbol H$) и поперечное ($\boldsymbol j⊥ \boldsymbol H$) магнитосопротивление, где $\boldsymbol j$ – плотность электрического тока, протекающего по проводнику.

Магнитосопротивление – чётное (симметричное) гальваномагнитное явление. Основная причина классического магнитосопротивления – искривление траекторий носителей заряда (электронов проводимости и дырок) в магнитном поле. В ряде веществ наблюдается значительное магнитосопротивление, знак которого может быть как положительным ($ρ$ увеличивается при наложении магнитного поля), так и отрицательным ($ρ$ уменьшается при наложении магнитного поля).