Гершензо́н Евге́ний Миха́йлович (9.6.1930, Москва – 26.7.2001, Иерусалим), российский учёный, доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент РАО, специалист в области физики полупроводников и сверхпроводников, радиофизики, экспериментальной физики и методики преподавания физики в высшей школе.

Родился в семье детского писателя, переводчика и литературного критика М. А. Гершензона и врача В. С. Гершензон. В 1938 г. поступил в школу, но в 1941 г. был эвакуирован из Москвы и год пробыл в интернате в г. Чистополь (Татарская АССР, ныне Татарстан). В 1942 г. Гершензон вернулся в Москву и продолжил обучение в школе. В 1948 г. окончил школу № 46 Фрунзенского района г. Москвы и в том же году поступил на физико-математический факультет Московского государственного педагогического института имени В. И. Ленина (МГПИ) (ныне Московский педагогический государственный университет, МПГУ). После его окончания в 1952 г. получил специальность учителя физики и математики средней школы.

В 1955 г., после трёх лет работы учителем в Куровской средней школе № 1 Московской области, Гершензон продолжил обучение в аспирантуре на кафедре общей и экспериментальной физики (КОЭФ) МГПИ под руководством Н. Н. Малова. После окончания аспирантуры (1958) в 1958–1959 гг. был ассистентом, в 1959–1960 гг. – старшим преподавателем, в 1960–1967 гг. – доцентом, в 1968–2001 гг. – профессором, в 1969–2001 гг. – заведующим КОЭФ МГПИ.

Гершензон активно участвовал в общественной работе физического факультета МГПИ (МПГУ), был ответственным редактором факультетской газеты «Физматовец», членом и секретарём партийного бюро факультета. В 1954 г. стал членом КПСС. В 1958 г. защитил кандидатскую диссертацию «Прохождение сантиметровых электромагнитных волн через продольную ультразвуковую решётку», а в 1966 г. – докторскую диссертацию «Вопросы исследования и применения взаимодействия свободных носителей заряда в полупроводниках со сверхвысокочастотными электромагнитными колебаниями».

В 1959 г. по инициативе В. С. Эткина и Е. М. Гершензона, а также при участии Н. В. Александрова (впоследствии первого заместителя министра просвещения РСФСР, 1964–1980) на физическом факультете МГПИ открылась Проблемная радиофизическая лаборатория (ПРФЛ). Вскоре она стала крупнейшим научным подразделением в педагогических вузах СССР. С 1959 г. Гершензон работал в ПРФЛ МГПИ: сначала в качестве заместителя заведующего, а затем – научного руководителя этой лаборатории. Совместно с Эткиным руководил сектором ПРФЛ, благодаря деятельности которого были созданы первые в СССР параметрические усилители СВЧ на полупроводниковых диодах, разработаны основы теории, расчёта и методики исследования таких радиофизических устройств, сконструированы и реализованы несколько типов усилителей, ставших базовыми для промышленности. Гершензоном и Эткиным была написана первая в нашей стране монография по полупроводниковым параметрическим усилителям.

В 1960–1970-х гг. фронт исследований научной радиофизической школы МГПИ расширился. Значительное внимание уделялось изучению физических процессов в идеальных полупроводниковых кристаллах. Коллектив сотрудников ПРФЛ проводил исследования слабосвязанных состояний в таких кристаллах и работал над созданием приборов на их основе. Гершензоном и его коллегами были выполнены теоретические и экспериментальные исследования магниторезонансных явлений в высокочистых монокристаллических материалах – германии $\text{(Ge),}$ кремнии $\text{(Si),}$ антимониде индия $\text{(InSb)}$ и др. В результате экспериментальных работ была разработана уникальная радиоспектроскопическая аппаратура, а полученные с её помощью результаты исследований вошли в золотой фонд физики полупроводников.

Используя методы ЛОВ-спектроскопии, сотрудники ПРФЛ под руководством Гершензона исследовали циклотронный и электронный парамагнитный резонансы, определяли концентрации примесей в полупроводниках, изучали спектры примесных и экситонных состояний в полупроводниках, процессы рассеяния, рекомбинации, разогрева электронов, кинетику неравновесных процессов в полупроводниках и др.

Спектроскопическими методами были обнаружены отрицательно заряженные мелкие донорные примеси и положительно заряженные акцепторные примеси в полупроводниках $\text{(Ge, Si)}$ и др. Эти исследования позволили не только исчерпывающе объяснить ряд физических явлений (например, спиновую релаксацию электронов проводимости в сильно легированных полупроводниках), но и разработать новые методы измерения параметров сверхчистых полупроводников $\text{(Ge, Si, InSb),}$ позволившие усовершенствовать методы их дальнейшей очистки и легирования.

Выполненный цикл работ получил высокую оценку: в 1980 г. Гершензону в составе авторского коллектива была присвоена Государственная премия СССР за создание субмиллиметровой спектроскопии на основе ЛОВ. Спектроскопические исследования полупроводников в субмиллиметровом диапазоне волн привели сотрудников Гершензона к аналогичному изучению сверхпроводников и сверхпроводниковых структур. В дальнейшем это направление работ возглавил ученик Гершензона Г. Н. Гольцман, ставший после него заведующим КОЭФ МПГУ.

Гершензон возглавлял научную школу «Субмиллиметровая спектроскопия сверхпроводников и полупроводников», которая была признана одной из ведущих научных школ России. Он был исполнителем и руководителем ряда тем по грантам РФФИ, INTAS и межведомственным программам. В общей сложности Гершензоном было публиковано почти 400 научных работ, среди которых 23 учебника и учебных пособия, 25 изобретений.

Значительное внимание он уделял вопросам вузовского преподавания. В МГПИ Гершензон читал курсы общей физики и радиотехники, ряд специальных курсов: «Введение в физику полупроводников», «Введение в физику сверхпроводников», «Современная экспериментальная физика» и др. Он провёл модернизацию общего и специального физического практикума, принимал активное участие в определении содержания образования по физике в педагогических вузах нашей страны, написании учебных программ, учебников и учебных пособий. Гершензон был инициатором создания и одним из авторов широко известного комплекта учебников по физике для педагогических вузов страны – «Курса общей физики». В соавторстве им были написаны учебник по радиотехнике, лабораторный практикум по общей физике, сборник вопросов и задач по общей физике и др.

Гершензон был талантливым организатором радиофизических исследований в МГПИ. Им была заложена эффективная система подготовки высококвалифицированных научных кадров в области физики полупроводников, радиофизики, физики конденсированного состояния. Подготовил более 40 кандидатов наук и 7 докторов наук. К числу его учеников относятся: В. Ф. Банная, А. П. Мельников, Г. Н. Гольцман, В. Н. Александров, А. И. Елантьев, А. Д. Семёнов, П. П. Бобров, А. Ю. Казаков, Л. Н. Шестаков и др.

Член-корреспондент РАО по Отделению высшего образования (1992). Заслуженный деятель науки РФ (1992). Почётный профессор МПГУ (2000).

Лауреат Государственной премии СССР (1980). Награждён медалями «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В. И. Ленина» (1970), «Ветеран труда» (1987), «В память 850-летия Москвы» (1997), значками «Отличник просвещения СССР» (1980), «Отличник народного просвещения» (1985).