Фототири́стор, тиристор, перевод которого из одного устойчивого состояния (с низкой проводимостью) в другое (с высокой проводимостью) осуществляется в результате воздействия светового потока. При освещении фототиристора в полупроводнике генерируются носители зарядов обоих знаков (электроны и дырки), что приводит к увеличению тока через тиристорную структуру на величину фототока. Конструктивно фототиристор представляет собой полупроводниковый (обычно кремниевый) монокристалл с p–n–p–n- или n–p–n–p-структурой, расположенный на металлическом основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили фототиристоры с освещаемым n-эмиттером и освещаемой p-базой. В качестве источников света для управления фототиристором используются электрические лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучательные диоды и др. Фототиристоры изготовляют на токи от нескольких мА до 500 А и напряжения от десятков В до единиц кВ. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм) составляет 1–100 мВт. Фототиристоры широко применяются в различных устройствах автоматического управления и защиты, вычислительной техники, а также в мощных высоковольтных преобразователях.