Фотомагнитоэлектри́ческий эффе́кт (фотоэлектромагнитный эффект, эффект Кикоина – Носкова), возникновение электрического поля в полупроводнике, помещённом в магнитное поле, при освещении его сильно поглощаемым светом. Если на полупроводник падает свет, частота ω которого соответствует собственному поглощению: $\text{ℏω }\text{= } \mathcal{ℰ_g}$, где $\text{ℏ}$ – постоянная Планка, $\mathcal{ℰ_g}$ – ширина запрещённой зоны полупроводника, то в тонком поверхностном слое образуется высокая концентрация электронов и дырок. Возникающий при этом градиент их концентрации приводит к появлению диффузионного потока носителей заряда в направлении падающего излучения. Если магнитное поле ${\boldsymbol H}$ приложено вдоль оси ${z}$, световой пучок и диффузионный поток направлены вдоль ${y}$, то магнитное поле отклоняет электроны и дырки в разные стороны, вызывая в направлении ${x}$ пространственное разделение зарядов. Если концы образца замкнуты, то в цепи возникает ток ${\boldsymbol j_x}$, если разомкнуты, то – фотоэдс (фотогальванический эффект).

В слабых магнитных полях эдс фотомагнитоэлектрического эффекта пропорциональна напряжённости магнитного поля ${\boldsymbol H}$ и меняет знак при изменении направления ${\boldsymbol H}$ на противоположное (нечётный фотомагнитоэлектрический эффект; открыт советскими физиками И. К. Кикоиным и М. М. Носковым в 1933).

Неоднородность плотности тока приводит на некороткозамкнутом образце к циркуляции тока: ток вблизи освещаемой поверхности течёт в одну сторону, а в глубине – в противоположную. В образце с разомкнутыми контактами полный ток, протекающий через всё сечение, равен нулю.

При действии магнитного поля на замкнутый циркулирующий ток в образце, когда направления ${\boldsymbol H}$ и диффузионного потока избыточных носителей при освещении образца не перпендикулярны друг другу, в направлении проекции ${\boldsymbol H}$ на плоскость образца возникает фотоэдс, не меняющая знак при изменении направления ${\boldsymbol H}$ на противоположное (чётный фотомагнитоэлектрический эффект; открыт И. К. Кикоиным в 1934).

В монокристаллических полупроводниках чётный и нечётный эффекты анизотропны – величина и знак эдс зависят от взаимной ориентации кристаллографических осей и вектора
${\boldsymbol H}$. Исследование анизотропии позволяет определить эффективные массы электронов и дырок вдоль различных кристаллографических осей образца.

Кроме обычного фотомагнитоэлектрического эффекта, обусловленного градиентом концентрации избыточных носителей заряда, при температурах ниже 20 К из-за разогрева носителей падающим излучением в образце возникает эдс, связанная с градиентом температуры (фототермомагнитный эффект).

На основе фотомагнитоэлектрического эффекта созданы надёжные методы определения времени жизни, диффузионной длины, скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда, а также детекторы излучения и магнитометры.