Эса́ки Лео́ (Рэона Эсаки, Леона Эсаки; япон. 江崎玲於奈) (род. 12.3.1925, Осака), японский физик, член Японской АН (1975), иностранный член РАН (1994).

Окончил Токийский университет (бакалавр, 1947), доктор философии (1959). В 1946–1957 гг. работал в компании Tokyo Tsushin Kogyo, в 1956–1960 гг. – в Sony (Токио), с 1960 г. – в IBM (США).

Основные научные труды по физике твёрдого тела (в том числе физике полупроводников, сверхпроводимости, магнетизму), полупроводниковой электронике. Впервые экспериментально наблюдал туннельный эффект в полупроводниках и построил (1957) туннельный диод (диод Эсаки). Открыл (1962) сильное возрастание магнитосопротивления в проводнике при некотором критическом значении электрического поля (эффект Эсаки). Обнаружил (1966) сверхпроводящую щель в энергетическом спектре полупроводников.

Лауреат Нобелевской премии по физике «за экспериментальные открытия туннельных явлений соответственно в полупроводниках и сверхпроводниках» (1973, совместно с А. Джайевером).