Антисегнетоэле́ктрики, вещества (обычно диэлектрики), для которых характерна аномалия диэлектрической проницаемости, возникновение сверхструктуры ниже температуры фазового перехода и отсутствие макроскопической спонтанной электрической поляризации. Термин «антисегнетоэлектрики» исторически возник для идентификации электрических аналогов антиферромагнетиков. В результате смещений атомов при структурном фазовом переходе в антисегнетоэлектриках возникает антипараллельная ориентация дипольных моментов соседних элементарных ячеек, и результирующий дипольный момент становится равным нулю. В ряде веществ свободная энергия антисегнетоэлектрической фазы оказывается близка к энергии сегнетоэлектрической фазы (сегнетоэлектрики), и наложением электрического поля можно осуществить переход между этими фазами. В таких случаях наблюдаются характерные зависимости поляризации от электрического поля – двойные петли гистерезиса ниже температуры фазового перехода. Типичными антисегнетоэлектриками являются кристаллы $\text{PbZrO}_3, \text{WO}_3, \text{NaNbO}_3, \text{NH}_4\text{H}_2\text{PO}_4$.