Тонкоплёночная техноло́гия, совокупность способов получения и обработки тонких плёнок металлов, диэлектриков, полупроводников при изготовлении интегральных схем, полупроводниковых приборов, коммутационных соединений и монтажных площадок в микросхемах. Основу тонкоплёночной технологии составляют методы получения плёнок толщиной ~0‚01–1‚0 мкм. Эти методы можно подразделить на 3 класса: физические, химические и комбинационные. К физическим методам получения тонких плёнок относятся: испарение в вакууме (термическое‚ электронно-лучевое, посредством электронной бомбардировки и др.), ионное распыление (магнетронное, ионно-лучевое и др.). Химические методы объединяют: электрохимическое осаждение, осаждение из газовой фазы с помощью химических реакций, термическое выращивание, анодирование и др. Комбинационные методы получения плёнок сочетают в себе как физические, так и химические процессы (термоионное и плазмохимическое осаждение, газовое анодирование и др.). Нужная конфигурация тонкоплёночных элементов микросхем (их рисунок) создаётся осаждением через маски, фотолитографией, электронолитографией и другими способами. В качестве подложек обычно применяют пластинки из стекла, керамики, ситаллов, органических материалов, монокристаллов полупроводников и других материалов. Подложки для изготовления тонкоплёночных элементов микросхем должны удовлетворять ряду требований: отсутствие поверхностных и внутренних (объёмных) дефектов, большое объёмное и поверхностное удельное электрическое сопротивление, высокие теплопроводность, термостойкость, механическая прочность и т. д.

Для получения тонких плёнок на подложках промышленностью выпускается специальное технологическое оборудование, например вакуумно-напылительные установки термического испарения и ионного распыления.