Тестовая структура
Те́стовая структу́ра, часть кристалла интегральной схемы (ИС), полупроводниковой или диэлектрической пластины (подложки), в объёме и (или) на поверхности которой сформированы полупроводниковые, диэлектрические и проводящие области, по своим свойствам аналогичные областям основных элементов ИС и предназначенные для поэтапного измерения её параметров в процессе изготовления. Тестовые структуры используются как при массовом производстве (подробнее см. в статье Встроенный контроль), так и при разработке новых типов ИС, новых технологических процессов их изготовления, при исследовании механизмов работы и причин отказа отдельных элементов ИС. С помощью тестовой структуры определяют поверхностное электрическое сопротивление, концентрацию электрически активных примесей, время жизни и подвижность носителей заряда, толщины диэлектрических слоёв, плотность дефектов и др. Для создания тестовой структуры используют области кристаллов, свободные от основных элементов ИС, разделительные дорожки между отдельными кристаллами или специально отведённые места пластины в виде тестовых ячеек с унифицированно расположенными контактными площадками.
Тестовые структуры делятся на технологические, схемотехнические и дефектоскопические. Технологические тестовые структуры (элементы ИС с увеличенными размерами и конфигурацией областей) служат для контроля электрофизических параметров отдельных областей ИС и позволяют проводить измерения непосредственно в процессе изготовления ИС. К этой же группе тестовых структур относят оптические тестовые структуры‚ используемые для измерения размеров ИС. Схемотехнические тестовые структуры (элементы ИС, снабжённые отдельными выводами с контактными площадками) применяют для контроля электрических характеристик отдельных элементов и узлов ИС. Дефектоскопические тестовые структуры (сборки однотипных элементов ИС) используют для обнаружения локальных дефектов (пор в диэлектрических слоях, структурных дефектов полупроводниковых областей, обрывов и коротких замыканий металлизированной разводки), нарушающих работу ИС.