Прыжко́вая проводи́мость, низкотемпературный механизм электрической проводимости в полупроводниках, связанный с переносом заряда путём квантовых туннельных переходов («прыжков») носителей заряда между различными локализованными состояниями. «Прыжки» сопровождаются поглощением или излучением фононов. Прыжковая проводимость наблюдается в слаболегированных кристаллических полупроводниках при температурах порядка 10 К (туннелирование происходит между примесными электронными состояниями), а также в аморфных и стеклообразных и органических полупроводниках, в которых носители заряда туннелируют между локализованными состояниями в квазизапрещённой зоне.