При́месная проводи́мость, проводимость полупроводника, при которой основной вклад в перенос заряда вносят электроны (дырки), термически возбуждённые в зону проводимости (валентную зону) из локализованных в запрещённой зоне донорных (акцепторных) уровней (проводимость ${n}$–типа и ${p}$–типа). Примесная проводимость определяется концентрацией донорных и акцепторных примесей и положением их уровней в запрещённой зоне (см. Зонная теория). Донорные примеси отдают в объём полупроводника избыточные электроны и создают таким образом электронную проводимость (${n}$–типа). Акцепторные примеси захватывают валентные электроны полупроводника, в который они внедрены, в результате чего создаются дырки и возникает дырочная проводимость (${p}$–типа). См. также Полупроводники.