Пра́вило У́рбаха, экспоненциальная частотная зависимость коэффициента поглощения света $\alpha$ в некоторых твёрдых телах вблизи края оптического поглощения, т. е. в области частот $\omega < \mathcal{E}_g/\hbar$, где $\mathcal{E}_g$ – ширина запрещённой зоны, $\hbar$ – постоянная Планка. Эта зависимость выражается формулой:$\displaystyle{\alpha = \alpha_0 \exp\left[–\gamma(\mathcal{E}_g – \hbar\omega)/k_{\text{Б}} T\right],}$где $T$ – температура выше некоторого критического значения $T_0$; $\gamma$ – постоянная, характеризующая вещество; $\alpha_0$ – медленно меняющаяся функция частоты; $k_{\text{Б}}$ – постоянная Больцмана.

Экспоненциальный рост $\alpha$ с увеличением энергии фотонов впервые наблюдал американский физик Ф. Урбах в 1953 г. при исследовании поглощения света в кристаллах AgBr. Экспоненциальная зависимость $\alpha(\omega)$ выполняется в диапазоне коэффициентов поглощения от 10 до 10⁵ см^–1 и справедлива для полупроводников, а также для многих других кристаллических и аморфных материалов, включая некоторые слоистые и наноразмерные структуры. Физическая причина правила Урбаха – взаимодействие электронов с фононами. Чтобы совершить межзонный переход, электрон должен получить энергию $\mathcal{E} > \mathcal{E}_g$; её часть, равную $\hbar\omega$, электрон получает непосредственно от фотона, а дефицит энергии $\mathcal{E}_g - \hbar\omega$ покрывается за счёт фононов.

В идеальных кристаллах экспоненциальная зависимость $\alpha(\omega)$ может быть в значительной степени обусловлена многофононными процессами, в частности временны́ми флуктуациями индуцированного фононами потенциала, в то время как в кристаллах с примесями и неупорядоченных системах причина этой зависимости связана с пространственными флуктуациями потенциала. При низких температурах $\alpha$ не зависит от температуры, но зависит от концентрации примесей, возрастая вместе с ней.