Орлико́вский Алекса́ндр Алекса́ндрович (12.6.1938, Москва – 1.5.2016, там же), советский и российский физик, учёный в области электроники, академик РАН (2006).

Окончил Московский инженерно-физический институт (1961). В 1969–1984 гг. преподавал в Московском институте электронной техники (Зеленоград); профессор с 1984 г. В 1981–1985 гг. старший научный сотрудник Физического института имени П. Н. Лебедева АН СССР, в 1985–1988 гг. заведующий лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР. После преобразования отдела в Физико-технологический институт РАН (ФТИАН) заведующий лабораторией (1988–2001), заместитель директора по научной работе (2001–2005), с 2005 г. директор ФТИАН.

Основные труды посвящены исследованиям в области физики и технологии элементной базы микро- и наноэлектроники. А. А. Орликовский – один из авторов первых работ по созданию полупроводниковой памяти, результаты которых легли в основу промышленных разработок сверхскоростных больших интегральных схем (ИС) оперативной памяти (1969–1980). Под руководством А. А. Орликовского созданы основы новых технологий металлизации и плазмохимического травления кремния и кремнийсодержащих материалов для субмикронных ИС; выполнен цикл исследований по молекулярно-пучковой эпитаксии арсенида галлия на кремнии с целью создать технологии оптических связей на кремниевых чипах и между чипами (1981–2000).

С начала 2000-х гг. научные исследования А. А. Орликовского связаны с разработкой технологии ИС с минимальными размерами элементов менее 100 нм. Это работы по созданию широкоапертурных источников плотной низкотемпературной плазмы с высокой равномерностью потоков, диагностике низкотемпературной плазмы и методам мониторинга плазменных процессов травления и нанесения тонких плёнок на основе оптической эмиссионной спектроскопии и др. Под руководством А. А. Орликовского выполнен оптический томограф для аттестации источников низкотемпературной плазмы; созданы автоматизированные установки плазмохимического травления, предназначенные для применения как в исследовательских, так и в промышленных целях. Труды последних лет посвящены созданию технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.

С начала 1970-х гг. научная деятельность А. А. Орликовского тесно связана с деятельностью К. А. Валиева, в сотрудничестве с которым выполнены основополагающие исследования в области микро- и наноэлектроники.

Премия Правительства РФ (2009), Премия имени С. А. Лебедева РАН (2009).