Ме́тод Чохра́льского, получение (выращивание) монокристалла медленным вытягиванием его из расплава с помощью заранее полученного затравочного кристалла. Является одним из методов направленной кристаллизации расплавов. Метод предложен в 1916 г. польским химиком Я. Чохральским (1885–1953), опубликован в 1918 г.

Схема установки для выращивания кристаллов методом Чохральского.Схема установки для выращивания кристаллов методом Чохральского.Затравку закрепляют на водоохлаждаемом стержне, опускают в расплав, а затем медленно вытягивают при непрерывном вращении стержня. Процесс проводят в вакууме или в атмосфере инертного газа в водоохлаждаемой кристаллизационной установке.

Метод Чохральского позволяет задавать форму монокристалла и получать слитки необходимых размеров и геометрии, регулировать их качество (дефектность) путём изменения скоростей вращения и вытягивания затравки.

Монокристалличность выросших кристаллов проверяют методом рентгеноструктурного анализа.

Метод Чохральского применяется для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов (германий, кремний, арсенид галлия), металлов (золото, серебро), сплавов и др.

Почти 95 % мирового производства монокристаллического кремния выпускается по методу Чохральского. Ныне возможно получение монокристаллов кремния длиной около 2 м, диаметром 300 мм и массой 265 кг.