Сочинения:
Куприянов М. Ю. Температурная зависимость критического тока распаривания в сверхпроводниках / М. Ю. Куприянов, В. Ф. Лукичев // Физика низких температур. – 1980. – Т. 6, № 4. – С. 445–453.
Куприянов М. Ю. Влияние эффективного взаимодействия электронов на критический ток джозефсоновских слабых связей / М. Ю. Куприянов, К. К. Лихарев, В. Ф. Лукичев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 1982. – Т. 83, № 7. – С. 431–441.
Куприянов М. Ю. Влияние прозрачности границ на критический ток «грязных» SS’S структур / М. Ю. Куприянов, В. Ф. Лукичев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 1988. – Т. 94, № 6. – С. 139–149.
Experimental study and computer simulation of aspect ratio dependent effeсts observed in silicon reactive ion etching / V. F. Lukichev, K. V. Rudenko, D. Fischer [et al.] // Microelectronic Engineering. – 1996. – Vol. 30, № 1/4. – P. 345–348.
Lukichev V. F. A New approach to aspect ratio independent etching // Microelectronic Engineering. – 1998. – Vol. 41/42. – P. 423–426.
Lukichev V. F. Etch Rate Scaling and Profile Similarity upon Plasmochemical Etching / V. F. Lukichev, V. A. Yunkin // Russian Microelectronics. – 1998. – Vol. 27, № 3. – P. 194–203.
Опубликовано 27 апреля 2024 г. в 10:07 (GMT+3). Последнее обновление 27 апреля 2024 г. в 10:07 (GMT+3).