Фотопьезоэлектрический эффект

Фотопьезоэлектри́ческий эффе́кт, возникновение фотоэлектродвижущей силы (фотоэдс) в однородном полупроводнике при его одновременном освещении и одноосном сжатии. Теоретически фотопьезоэлектрический эффект был предсказан В. ван Рузбруком и В. Г. Пфанном в 1962 г., а экспериментально обнаружен на монокристаллах ${\displaystyle {n}}$-германия И. К. Кикоиным и С. Д. Лазаревым в 1964 г. Микроскопическая теория фотопьезоэлектрического эффекта в кристаллах кубической симметрии была развита Ю. М. Каганом и В. Н. Собакиным. Возникающая на грани освещённого кристалла фотоэдс перпендикулярна направлению сжатия и по величине пропорциональна оказываемому давлению и интенсивности света. Фотопьезоэлектрический эффект обусловлен тем, что подвижности носителей заряда, появляющихся в результате внутреннего фотоэффекта, при упругой деформации кристалла становятся разными в различных направлениях. В 1976 г. И. К. Кикоин, С. Д. Лазарев и Л. И. Кикоина обнаружили, что при облучении подвергнутого одноосной упругой деформации монокристалла германия α-частицами в нём возникает электрическое поле, направленное перпендикулярно потоку частиц, т. е. радиационный пьезоэлектрический эффект, в котором генерация избыточных электронов и дырок происходит при облучении образца ионизирующим излучением.