Акустомагнитоэлектрический эффект

Аку́стомагни́тоэлектри́ческий эффе́кт, возникновение разности потенциалов в пьезополупроводниковом кристалле, находящемся в магнитном поле, в направлении, перпендикулярном магнитному полю и направлению распространения акустических волн. Предсказан Ю. В. Гуляевым и Э. М. Эпштейном в 1967 г. Акустомагнитоэлектрический эффект обусловлен наличием зависимости времени релаксации носителей заряда от их энергии. Вследствие акустоэлектронного взаимодействия в кристалле возникает ток увлечения носителей заряда акустической волной (см. Акустоэлектрический эффект) в направлении распространения волны. Вследствие этого на торцевых гранях кристалла возникают заряды, поле которых вызывает электрический ток, текущий в противоположном направлении. В разомкнутом образце суммарный ток в направлении распространения акустической волны равен нулю, и эти токи в каждой точке кристалла в точности компенсируют друг друга. За счёт эффекта Холла каждый из этих токов должен вызывать накопление зарядов на поверхности образца в направлении, перпендикулярном направлению распространения волны и магнитного поля. Если время релаксации свободных носителей заряда зависит от энергии, то холловские токи, вызываемые акустоэлектрическим увлечением носителей заряда и компенсирующим током, не равны друг другу, и возникает разность потенциалов в поперечном направлении. Величина и знак разности потенциалов, возникающей вследствие акустомагнитоэлектрического эффекта, зависят от конкретного механизма релаксации импульса свободных носителей заряда. Поэтому акустомагнитоэлектрический эффект может быть использован при изучении механизмов релаксации электронов и дырок в полупроводниках.