#Типы дефектов в кристаллахТипы дефектов в кристаллахИсследуйте Области знанийУ нас представлены тысячи статейТегТипы дефектов в кристаллахТипы дефектов в кристаллахНайденo 2 статьиФизические процессы, явленияФизические процессы, явления Дефекты в кристаллахДефе́кты в криста́ллах, устойчивые нарушения правильного расположения атомов, ионов или молекул в узлах кристаллической решётки, которые образуются в процессе роста кристалла из расплава или раствора, при введении примесей, под влиянием внешних воздействий: тепловых, механических и электрических, при облучении нейтронами, электронами, рентгеновскими и УФ-лучами. Классификация дефектов основана на числе пространственных измерений. Дефекты, в которых размеры дефектного участка сравнимы с межатомным расстоянием , называют нульмерными, или точечными. Одномерные, или линейные, дефекты – это нарушения в структуре кристалла, малые в двух измерениях, но сравнительно протяжённые в третьем (цепочки точечных дефектов и дислокации). Двумерными, или поверхностными, дефектами являются дефекты упаковки, границы двойников, границы магнитных или сегнетоэлектрических доменов, границы зёрен в поликристаллических материалах, межфазные границы в сплавах, сама поверхность кристалла. Трёхмерными, или объёмными, дефектами являются поры, трещины, включения других фаз, тетраэдры из дефектов упаковки. Дефекты влияют практически на все свойства кристаллов. Атомная структура ядер дислокаций, точечных и поверхностных дефектов наблюдается с помощью автоионного микроскопа, методами электронной микроскопии, дифракционными методами.Физические процессы, явления Дислокации (в кристаллах)Дислока́ции в кристаллах, специфические дефекты в кристаллах, представляющие собой линии, вдоль которых нарушено правильное расположение атомных слоёв. Различают краевые, винтовые и комбинированные типы дислокаций. Дислокация возникает и трансформируется как реакция кристалла на внешние воздействия и всегда обеспечивает снижение совокупной энергии полей внутренних механических напряжений. Внешняя нагрузка взаимодействует с полем напряжений вокруг дислокаций, что приводит к их перемещению. Различают консервативные (без переноса массы) и неконсервативные движения дислокаций. Дислокации влияют не только на механические, но и на многие другие фундаментальные свойства кристаллов (например, люминесцентные, электрические, магнитные).
