Страте́гия «лёгких акти́вов» (от англ. fablite, fab-lite), стратегия, используемая интегрированными производителями [полупроводниковых] приборов (IDM) при дальнейшем масштабировании интегральных схем (ИС) или при переходе на бизнес-модель фаблесс-фирмы. В первом случае при переходе на проектные нормы 45–32 нм и менее IDM оставляют себе только новейшие опытно-экспериментальные мощности для отработки перспективных технологий (например, технология полностью обеднённого «кремния-на-изоляторе», FD SOI), а серийное производство отдаётся на кремниевые заводы или свободные мощности других IDM (пример – STMicroelectronics).

Во втором случае данная стратегия на уровне проектных норм до 90–65 нм предусматривает продолжение производства на собственных мощностях только новейших ИС (с высокой добавленной стоимостью) по наиболее передовым процессам; производство ИС со средним и меньшим уровнем добавленной стоимости передаётся сторонним фирмам в рамках использования модели «фаблесс-фирма-кремниевый завод» (fabless-foundry). Переход на проектные нормы 45 нм и менее предусматривает продолжение функционирования своих наиболее передовых и экономически эффективных производств, отказ от строительства собственных заводов под топологии порядка 45 нм и менее в пользу использования на уровне этих топологий модели fabless-foundry.