Обогащённый слой, слой полупроводника с повышенной, по сравнению с равновесной, концентрацией основных носителей заряда. Образуется вблизи контакта с металлом, вблизи гетероперехода, р–n-перехода, свободной поверхности полупроводника. Контакты, образующие обогащённый слой, предпочтительны в качестве омических для полупроводниковых приборов и образцов с носителями заряда одного знака.