Акустоэлектри́ческие доме́ны, области сильного электрического поля и большой интенсивности низкочастотных акустических фононов (акустических шумов) в полупроводнике, возникающие при генерации фононов дрейфом носителей заряда за счёт акустоэлектронного усиления (см. Акустоэлектронное взаимодействие). При приложении к пьезоэлектрическому полупроводнику электрического поля, достаточного для электронного усиления, акустические шумы в нём могут значительно усиливаться. Их интегральная интенсивность может достигать большой величины (до сотен Вт/см²). При этом электропроводность области кристалла с большой интенсивностью шумов уменьшается. Происходит перераспределение напряжения в образце, и возникают области сильного поля – домены. Наблюдаются как статические, так и движущиеся акустоэлектрические домены. Первые, как правило, образуются в высокоомных (например, $\text{CdS}$ с удельным сопротивлением 10³–10⁵ Ом · см при комнатной температуре), вторые – в низкоомных ($\text{GaAs}$, $\text{GaSb}$, $\text{Te}$, $\text{ZnO}$) материалах. Размеры акустоэлектрических доменов обычно составляют 0,1–1 мм. Они возникают главным образом на неоднородностях образца.