Фоторезистор

Фоторези́стор (от фото… и резистор), полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрическое сопротивление под действием внешнего электромагнитного излучения. Фоторезисторы относятся к фотоэлектрическим приёмникам излучения. Работа фоторезистора основана на внутреннем фотоэффекте в полупроводниках (фотопроводимость).

Основу фоторезистора составляет слой (или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством которых фоторезисторы подключаются к электрической цепи. Фоторезистивный слой изготовляют, например, прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно на поверхности подложки либо путём химического осаждения, эпитаксии или напыления. Полученные слои (плёнки) подвергают обжигу.

В зависимости от назначения различаются фоторезисторы одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без него, открытые и герметизированные, выполненные в виде отдельного изделия или в составе интегральной схемы.

Характерная особенность фоторезистора – избирательность к внешнему излучению. Так, фоторезисторы на основе солей кадмия (${\displaystyle {\text{CdS}}}$ и ${\displaystyle {\text{CdSe}}}$) чувствительны к видимому, ближнему инфракрасному (ИК), ультрафиолетовому, рентгеновскому и гамма-излучениям. Фоторезисторы на основе ${\displaystyle {\text{PbS}}}$, ${\displaystyle {\text{PbSe}}}$, ${\displaystyle {\text{InSb}}}$, ${\displaystyle {\text{CdHgTe}}}$ и ${\displaystyle {\text{PbSnSe}}}$ чувствительны к ИК-излучению с длиной волны до 14 мкм, а на основе легированных ${\displaystyle {\text{Si}}}$ и ${\displaystyle {\text{Ge}}}$ – до 40 мкм.

Высокая чувствительность, стабильность фотоэлектрических характеристик во времени, малая инерционность (малое время задержки между засветкой фоторезистора и появлением напряжения на выводах фоторезистора), простота конструкции и др. обусловили широкое применение фоторезисторов в приборах и устройствах оптоэлектроники.