Прыжковая проводимость
Прыжко́вая проводи́мость, низкотемпературный механизм электрической проводимости в полупроводниках, связанный с переносом заряда путём квантовых туннельных переходов («прыжков») носителей заряда между различными локализованными состояниями. «Прыжки» сопровождаются поглощением или излучением фононов. Прыжковая проводимость наблюдается в слаболегированных кристаллических полупроводниках при температурах порядка 10 К (туннелирование происходит между примесными электронными состояниями), а также в аморфных и стеклообразных и органических полупроводниках, в которых носители заряда туннелируют между локализованными состояниями в квазизапрещённой зоне.
Литература
- Гантмахер В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах. – Изд. 3-е, испр. и доп. – Москва : Физматлит, 2013.
- Почтенный А. Е. Прыжковая проводимость на постоянном токе в собственных и примесных органических полупроводниках. – Минск : БГТУ, 2016.