Обеднённый слой
Обеднённый слой (запирающий слой), слой полупроводника с пониженной, по сравнению с равновесной, концентрацией основных носителей заряда. Образуется вблизи контакта с металлом, вблизи гетероперехода, р–n-перехода, свободной поверхности полупроводника. Обеднённый слой обладает большим удельным электрическим сопротивлением и является основным рабочим элементом полупроводникового диода, транзистора, варикапа и других полупроводниковых приборов.
Литература
- Диоды и тиристоры / А. А. Чернышев, В. И. Иванов, В. Д. Галахов [и др.]. – 2-е изд., перераб. и доп. – Москва : Энергия, 1980. – (Массовая радиобиблиотека ; вып. 1005).
- Пасынков В. В. Попупроводниковые приборы : учебник для вузов / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. – 4-е изд., перераб. и доп. – Москва : Высшая школа, 1987.