Подпишитесь на наши новости
Вернуться к началу с статьи up
 

ОРЛИКО́ВСКИЙ

ОРЛИКО́ВСКИЙ Алек­сандр Алек­сан­д­ро­вич (12.6.1938, Мо­ск­ва – 1.5.2016, там же), рос. фи­зик, учё­ный в об­лас­ти элек­тро­ни­ки, акад. РАН (2006). Окон­чил Моск. ин­же­нер­но-фи­зич. ин-т (1961). В 1969–84 пре­по­да­вал в Моск. ин-те элек­трон­ной тех­ни­ки (Зе­ле­но­град); проф. с 1984. В 1981–1985 стар­ший на­уч. со­труд­ник Фи­зич. ин-та им. П. Н. Ле­бе­де­ва АН СССР, в 1985–88 зав. ла­бо­ра­то­ри­ей мик­ро­струк­ту­ри­ро­ва­ния и суб­мик­рон­ных при­бо­ров от­де­ла мик­ро­элек­тро­ни­ки Ин-та об­щей фи­зи­ки АН СССР. По­сле пре­об­ра­зо­ва­ния от­де­ла в Фи­зи­ко-тех­но­ло­гич. ин-т РАН (ФТИАН) О. – зав. ла­бо­ра­то­ри­ей (1988–2001), в 2001–05 зам. ди­рек­то­ра по на­уч. ра­бо­те, с 2005 ди­рек­тор ФТИАН.

Осн. тру­ды по­свя­ще­ны ис­сле­до­ва­ни­ям в об­лас­ти фи­зи­ки и тех­но­ло­гии эле­мент­ной ба­зы мик­ро- и на­но­элек­тро­ни­ки. О. – один из ав­то­ров пер­вых ра­бот по соз­да­нию по­лу­про­вод­ни­ко­вой па­мя­ти, ре­зуль­та­ты ко­то­рых лег­ли в ос­но­ву пром. раз­ра­бо­ток сверх­ско­ро­ст­ных боль­ших ин­те­граль­ных схем (ИС) опе­ра­тив­ной па­мя­ти (1969–80). Под рук. О. соз­да­ны ос­но­вы но­вых тех­но­ло­гий ме­тал­ли­за­ции и плаз­мо­хи­мич. трав­ле­ния крем­ния и крем­ний­со­дер­жа­щих ма­те­риа­лов для суб­мик­рон­ных ИС; вы­пол­нен цикл ис­сле­до­ва­ний по мо­ле­ку­ляр­но-пуч­ко­вой эпи­так­сии ар­се­ни­да гал­лия на крем­нии с це­лью соз­дать тех­но­ло­гии оп­тич. свя­зей на крем­ние­вых чи­пах и ме­ж­ду чи­па­ми (1981–2000).

С нач. 2000-х гг. на­уч. ис­сле­до­ва­ния О. свя­за­ны с раз­ра­бот­кой тех­но­ло­гии ИС с ми­ним. раз­ме­ра­ми эле­мен­тов ме­нее 100 нм. Это ра­бо­ты по соз­да­нию ши­ро­ко­апер­тур­ных ис­точ­ни­ков плот­ной низ­ко­тем­пе­ра­тур­ной плаз­мы с вы­со­кой рав­но­мер­но­стью по­то­ков, ди­аг­но­сти­ке низ­ко­тем­пе­ра­тур­ной плаз­мы и ме­то­дам мо­ни­то­рин­га плаз­мен­ных про­цес­сов трав­ле­ния и на­не­се­ния тон­ких плё­нок на ос­но­ве оп­тич. эмис­си­он­ной спек­тро­ско­пии и др. Под рук. О. вы­пол­нен оп­тич. то­мо­граф для ат­те­ста­ции ис­точ­ни­ков низ­ко­тем­пе­ра­тур­ной плаз­мы; соз­да­ны ав­то­ма­ти­зир. ус­та­нов­ки плаз­мо­хи­мич. трав­ле­ния, пред­на­зна­чен­ные для при­ме­не­ния как в ис­сле­до­ва­тель­ских, так и в пром. це­лях. Тру­ды по­след­них лет по­свя­ще­ны соз­да­нию тех­но­ло­гии твер­до­тель­ных кван­то­вых ком­пь­ю­те­ров и тех­но­ло­гии МДП-тран­зи­сто­ров с дли­на­ми ка­на­ла по­ряд­ка 10 нм, вклю­чая кван­то­вое опи­са­ние ха­рак­те­ри­стик та­ких тран­зи­сто­ров.

С нач. 1970-х гг. на­уч. дея­тель­ность О. тес­но свя­за­на с дея­тель­но­стью К. А. Ва­лие­ва, в со­труд­ни­че­ст­ве с ко­то­рым вы­пол­не­ны ос­но­во­по­ла­гаю­щие ис­сле­до­ва­ния в об­лас­ти мик­ро- и на­но­элек­тро­ни­ки.

Пр. Пра­ви­тель­ст­ва РФ (2009), Пр. им. С. А. Ле­бе­де­ва РАН (2009).

Соч.: Вве­де­ние в на­но­элек­тро­ни­ку. М., 2009 (со­авт., ред.).

  • ОРЛИКО́ВСКИЙ Александр Александрович (р. 12.6.1938), рос. физик, учёный в области электроники, акад. РАН (2014)
Вернуться к началу