ФОТОРЕЗИ́СТОР
-
Рубрика: Технологии и техника
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ФОТОРЕЗИ́СТОР (от фото… и резистор), полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внешнего электромагнитного излучения. Ф. относятся к фотоэлектрич. приёмникам излучения; работа основана на внутр. фотоэффекте в полупроводниках (см. Фотопроводимость). Основу Ф. составляет слой (или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством которых Ф. подключается к электрич. цепи. Фоторезистивный слой изготовляют, напр., прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно на поверхности подложки либо путём химич. осаждения, эпитаксии или напыления. Полученные слои (плёнки) подвергают обжигу. В зависимости от назначения различаются Ф. одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без него, открытые и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе интегральной схемы.
Характерная особенность Ф. – избирательность к внешнему излучению. Так, Ф. на основе CdS и CdSe чувствительны к видимому, ближнему ИК-, УФ-, рентгеновскому и гамма-излучениям; Ф. на основе PbS, PbSe, InSb, CdHgTe и PbSnSe – к ИК-излучению с длиной волны до 14 мкм, а на основе легированных Si и Ge – до 40 мкм. Высокая чувствительность, стабильность фотоэлектрич. характеристик во времени, малая инерционность, простота конструкции и др. обусловили широкое применение Ф. в приборах и устройствах оптоэлектроники.