ФОТОРЕЗИ́СТОР

ФОТОРЕЗИ́СТОР (от фо­то… и ре­зи­стор), по­лу­про­вод­ни­ко­вый ре­зи­стор, из­ме­няю­щий своё элек­трич. со­про­тив­ле­ние под дей­ст­ви­ем внеш­не­го элек­тромаг­нит­но­го из­лу­че­ния. Ф. от­но­сят­ся к фо­то­элек­трич. при­ём­ни­кам из­лу­че­ния; ра­бо­та ос­но­ва­на на внутр. фо­то­эф­фек­те в по­лу­про­вод­ни­ках (см. Фо­то­про­во­ди­мость). Ос­но­ву Ф. со­став­ля­ет слой (или плён­ка) по­лу­про­вод­ни­ко­во­го ма­те­риа­ла на под­лож­ке (или без неё) с на­не­сён­ны­ми на не­го элек­тро­да­ми, по­сред­ст­вом ко­то­рых Ф. под­клю­ча­ет­ся к элек­трич. це­пи. Фо­то­ре­зи­стив­ный слой из­го­тов­ля­ют, напр., прес­со­ва­ни­ем по­рош­ка или рас­пы­ле­ни­ем вод­но-спир­то­вой сус­пен­зии по­лу­про­вод­ни­ко­во­го мате­риа­ла не­по­сред­ст­вен­но на по­верх­но­сти под­лож­ки ли­бо пу­тём хи­мич. оса­ж­де­ния, эпи­так­сии или на­пы­ле­ния. По­лу­чен­ные слои (плён­ки) под­вер­га­ют об­жи­гу. В за­ви­си­мо­сти от на­зна­че­ния раз­лича­ют­ся Ф. од­но- и мно­го­эле­мент­ные (мо­за­ич­ные), с ох­ла­ж­де­ни­ем и без не­го, от­кры­тые и гер­ме­ти­зи­ро­ван­ные, вы­пол­нен­ные в ви­де отд. из­де­лия или в со­ста­ве ин­те­граль­ной схе­мы.

Ха­рак­тер­ная осо­бен­ность Ф. – из­би­ра­тель­ность к внеш­не­му из­лу­че­нию. Так, Ф. на ос­но­ве CdS и CdSe чув­ст­ви­тель­ны к ви­ди­мо­му, ближ­не­му ИК-, УФ-, рент­ге­нов­ско­му и гам­ма-из­лу­че­ни­ям; Ф. на ос­но­ве PbS, PbSe, InSb, CdHgTe и PbSnSe – к ИК-из­лу­че­нию с дли­ной вол­ны до 14 мкм, а на ос­но­ве ле­ги­ро­ван­ных Si и Ge – до 40 мкм. Вы­со­кая чув­ст­ви­тель­ность, ста­биль­ность фо­то­элек­трич. ха­рак­те­ри­стик во вре­ме­ни, ма­лая инер­ци­он­ность, про­сто­та кон­ст­рук­ции и др. обу­сло­ви­ли ши­ро­кое при­ме­не­ние Ф. в при­бо­рах и уст­рой­ст­вах оп­то­элек­тро­ни­ки.