Подпишитесь на наши новости
Вернуться к началу с статьи up
 

МАГНИТОРЕЗИ́СТОР

  • рубрика
  • родственные статьи
  • image description

    В книжной версии

    Том 18. Москва, 2011, стр. 396

  • image description

    Скопировать библиографическую ссылку:




Авторы: А. Н. Марченко
Магниторезисторы с резистивным элементом в форме прямоугольника (а), диска (б), меандра (в): 1 – подложка; 2 – резистивный элемент; 3 – токоподводы.

МАГНИТОРЕЗИ́СТОР, по­лу­про­вод­ни­ко­вый ре­зи­стор, элек­трич. со­про­тив­ле­ние ко­то­ро­го из­ме­ня­ет­ся под воз­дей­ст­ви­ем внеш­не­го маг­нит­но­го по­ля (маг­ни­то­ре­зи­стив­ный эф­фект). Со­сто­ит из под­лож­ки (круг­лой или пря­мо­уголь­ной пла­сти­ны тол­щи­ной 0,1–0,5 мм из ра­дио­ке­ра­ми­ки, фер­ри­та, пер­мал­лоя, пер­мен­дю­ра и др.), маг­ни­то­чув­ст­вит. ре­зи­стив­но­го эле­мен­та (РЭ) и то­ко­под­во­дов для под­клю­че­ния к элек­трич. це­пи (рис.). РЭ в ви­де пла­стин­ки тол­щи­ной 10–80 мкм вы­ре­за­ют из мо­но­кри­стал­ла по­лу­про­вод­ни­ка с вы­со­кой под­виж­но­стью но­си­те­лей за­ря­дов (напр., ZnSb, ZnAs). Для за­щи­ты от ме­ха­нич. по­вре­ж­де­ний и воз­дей­ст­вия вла­ги РЭ и часть то­ко­под­во­дов М. по­кры­ва­ют за­щит­ной эпок­сид­ной плён­кой.

Важ­ней­шей ха­рак­те­ри­сти­кой М. яв­ля­ет­ся за­ви­си­мость элек­трич. со­про­тив­ле­ния от маг­нит­ной ин­дук­ции R = f(B) – квад­ра­ти­че­ская в сла­бых маг­нит­ных по­лях (до 0,5 Тл) и ли­ней­ная – в силь­ных. Обыч­но ра­бо­чий ре­жим М. вы­би­ра­ют на ли­ней­ном уча­ст­ке ха­рак­те­ри­сти­ки при ин­дук­ции маг­нит­но­го по­ля 0,5–1,0 Тл. Под воз­дей­ст­ви­ем по­пе­реч­но­го маг­нит­но­го по­ля элек­трич. со­про­тив­ле­ние М. уве­ли­чи­ва­ет­ся вслед­ст­вие ис­крив­ле­ния тра­ек­то­рии но­си­те­лей за­ря­дов в РЭ. Диа­па­зон из­ме­не­ния со­про­тив­ле­ния (оце­ни­ва­ет­ся от­но­ше­ни­ем RB/R0, где RB и R0 – со­про­тив­ле­ния М. со­от­вет­ст­вен­но при на­ли­чии и в от­сут­ст­вие по­пе­реч­но­го маг­нит­но­го по­ля) со­став­ля­ет от 3 до 20 и бо­лее. Ши­ро­кое рас­про­стра­не­ние по­лу­чи­ли М. с РЭ в ви­де ме­ан­д­ра из ZnSb. Для уве­ли­че­ния от­но­ше­ния RB/R0 на по­верх­но­сти РЭ та­ких М. на­пы­ле­нием в ва­куу­ме или галь­ва­нич. оса­ж­де­ни­ем соз­да­ют про­во­дя­щий плё­ноч­ный растр (напр., из Zn или Ni), де­ля­щий РЭ на боль­шое чис­ло по­сле­до­ва­тель­но вклю­чён­ных эле­мен­тов, дли­на ко­то­рых со­из­ме­ри­ма с про­тя­жён­но­стью на­чаль­но­го, наи­бо­лее ис­крив­лён­но­го уча­ст­ка тра­ек­то­рии но­си­те­лей за­ря­дов.

По срав­не­нию с обыч­ны­ми пе­ре­мен­ны­ми ре­зи­сто­ра­ми М. име­ют прак­ти­че­ски не­ог­ра­ни­чен­ный срок служ­бы (от­сут­ст­вие под­виж­но­го кон­так­та ис­клю­ча­ет ме­ха­нич. из­нос РЭ), от­ли­ча­ют­ся плав­но­стью из­ме­не­ния со­про­тив­ле­ния, а так­же от­сут­ст­ви­ем шу­мов, свой­ст­вен­ных ре­зи­сто­рам с под­виж­ным кон­так­том. При­ме­ня­ют­ся в осн. как чув­ст­вит. эле­мен­ты дат­чи­ков маг­нит­но­го по­ля, а в со­че­та­нии с управ­ляю­щей маг­нит­ной сис­те­мой – в ка­че­ст­ве пе­ре­мен­ных ре­зи­сто­ров в ра­дио­ап­па­ра­ту­ре и из­ме­рит. при­бо­рах и как пе­ре­клю­ча­тель­ные эле­мен­ты в бес­кон­такт­ной ком­му­та­ци­он­ной ап­па­ра­ту­ре.

Вернуться к началу